N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET, HYG042N10NS1P, TO-220-3, G042N10, 160A, 100V, 정품, 10 개/로트, 신제품 Best Top5

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전력 전자 분야에서 N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET은 전력 변환 및 제어 응용 분야에서 널리 사용되는 필수적인 반도체 부품입니다. HYG042N10NS1P는 이러한 응용 분야에 이상적인 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공하는 고품질 N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET입니다.

HYG042N10NS1P의 특징

  • N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET
  • TO-220-3 패키지
  • 최대 드레인-소스 전압: 100V
  • 최대 드레인 전류: 160A
  • 게이트 임계 전압: 2V ~ 4V
  • 저 온 저항: 3.2mΩ
  • 고속 스위칭 성능
  • 우수한 열적 안정성

HYG042N10NS1P의 장점

  • 높은 전류 처리 용량으로 고전력 응용 분야에 적합합니다.
  • 낮은 온 저항으로 전력 손실을 줄입니다.
  • 빠른 스위칭 속도로 효율성을 향상시킵니다.
  • 견고한 TO-220-3 패키지는 열 관리를 개선합니다.
  • 정품으로 품질과 신뢰성이 보장됩니다.

HYG042N10NS1P의 응용 분야

  • 전원 공급 장치
  • 모터 제어
  • 인버터
  • 컨버터
  • 솔레노이드 구동
  • 배터리 관리 시스템

HYG042N10NS1P 구매 안내

HYG042N10NS1P N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET은 10개/로트 단위로 판매됩니다. 이 제품은 신제품이며 즉시 배송 가능합니다. 고객님의 전력 전자 설계 요구 사항에 완벽하게 맞는지 확인하려면 데이터시트를 검토하시기 바랍니다.

자주 묻는 질문(FAQ)

Q: HYG042N10NS1P의 게이트 임계 전압 범위는 무엇입니까?
A: 2V ~ 4V입니다.

Q: HYG042N10NS1P의 온 저항은 얼마입니까?
A: 3.2mΩ입니다.

Q: HYG042N10NS1P는 어떤 패키지로 제공됩니까?
A: TO-220-3 패키지로 제공됩니다.

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  1. 최대 160A의 높은 전류 처리 용량
  2. 100V의 내압
  3. TO-220-3 패키지

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